Транзистор J41CG Його повні аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпусу: TO252-2L Структура: PNP Макс. напруга колектор-база: 100 V Макс. напруга колектор-емітер: 100 V Макс. напруга емітер-база: 5 V Макс. постійний струм колектора: 6 А Потужність розсіювання: 1.25 Вт. Гранична частота (Ft): 3 МГц Коефіцієнт передачі струму (діапазон): 15 – 75 Спосіб монтажу SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Вихідна напруга 12 В Макс. вихідний струм 1.5А Макс. вхідна напруга 35 В Робоча температура 0…125 °С Тип корпусу TO-220
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більше: 40 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8050 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8050B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8050C – в діапазоні від 120 до 200, S8050D…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8550 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8550B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8550C – в діапазоні від 120 до 200,…
Чіп дає змогу за допомогою слабкого струму мікроконтролера, як-от Arduino, керувати потужними навантаженнями зі струмом до 500 мА і напругою до 50 В на канал. Такими навантаженнями можуть бути соленоїди, двигуни, потужні світлодіоди тощо. Для кожного каскаду в чипі встановлено поворотний діод, що дає змогу під’єднувати індуктивні навантаження: реле, електромагніти, приводи. За необхідності канали можна…
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Електролітичні конденсатори (оксидні) — різновид конденсаторів, в яких діелектриком між обкладками є плівка оксиду металу, де анод виконаний з металу, а катод є твердим, рідким або гелевим електролітом. Продаються по 10 шт
Структура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3
Корпус: SMB (DO-214AA) Пікова потужність: 600 W Напруга пробою, Vbr: 17,6 V Постійна зворотна напруга, Vrm: 15 V Струм витоку, Irm: 1 µA Конструкція діода: Односпрямований Монтаж: SMD
Наименование производителя: PXT2907A Маркировка: 2F_p2F Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока…
Кінець змісту
Кінець змісту
У вас ще немає облікового запису? Реєстрація
У вашому кошику немає товарів. Продовжуйте, поповнюйте її тим, що вам подобається!
Почніть Робити Покупки Прямо зараз
