• 2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    0 з 5
    грн

    Структура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3

  • A0D404 TO252

    A0D404 TO252

    0 з 5
    30 грн
  • AOD409 - Транзистор польовий MOSFET

    AOD409 – Транзистор польовий MOSFET

    0 з 5
    30 грн

    Найменування приладу: AOD409 Тип транзистора: MOSFET Полярність: P Максимальна розсіювана потужність (Pd): 60 W Гранично допустима напруга сток-джерело |Uds|: 60 V Гранично допустима напруга затвор-джерело |Ugs|: 20 V Порогова напруга увімкнення |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 26 A Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C Час наростання (tr): 14.5 ns Вихідна ємність…

  • BT136S-600E 252

    BT136S-600E 252

    0 з 5
    40 грн

    Симістор BT136S-600E 800E є силовим напівпровідниковим приладом, що може використовуватися для керування великими струмами в електричних схемах. Він має SMD корпус типу SOT-252, також відомий як TO-252. BT136S-600E 800E має такі характеристики: Максимальний струм (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) і 4 А (для BT136S-800E). Максимальна напруга (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) і 800 В (для…

  • FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

    FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

    0 з 5
    13 грн

    Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P

  • HT7136-sot89

    HT7136-sot89

    0 з 5
    11 грн
  • T12N10G TO-252 N-канальний МОП транзистор (12N10); 100В 12А

    T12N10G TO-252 N-канальний МОП транзистор (12N10); 100В 12А

    0 з 5
    35 грн

    MOSFET-транзистор Полярність транзистора: N-Channel Id – безперервний струм стоку: 12 А Vds – напруга пробою сток-вісток: 100 В Тип корпусу: TO-252 Спосіб монтажу: SMD Поверхневий

  • Tранзистор a42

    Tранзистор a42

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 300 В Напруга колектор-база, не більша: 300 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA42 є транзистор MPSA92 c p-n-p структурою.

  • Біполярний транзистор PXT2907A

    Біполярний транзистор PXT2907A

    0 з 5
    10 грн

    Наименование производителя: PXT2907A Маркировка: 2F_p2F Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока…

  • Мікросхема LM339 корпус SOP-14

    Мікросхема LM339 корпус SOP-14

    0 з 5
    грн

    Мікросхема LM339 є чотириканальним компаратором з відкритим колектором і має корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основні характеристики мікросхеми LM339: Тип: Чотириканальний компаратор. Кількість каналів: 4. Тип корпусу: SOP-14 (Small Outline Package-14). Напруга живлення: Від 2V до 36V. Відкритий колектор на виході. Мікросхема LM339 зазвичай використовується для порівняння напруг або сигналів і видає на виході «0»…

  • Мікросхема TC118S SOP-8

    Мікросхема TC118S SOP-8

    0 з 5
    30 грн
  • Транзистор 12N10

    Транзистор 12N10

    0 з 5
    25 грн
  • Транзистор 2N2222

    Транзистор 2N2222

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 30 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.5 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2222 є транзистор 2N2907 c p-n-p структурою.

  • Транзистор 2N2907

    Транзистор 2N2907

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2907 є транзистор 2N2222 c n-p-n структурою.

  • Транзистор 2N3904

    Транзистор 2N3904

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 40 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3904 є транзистор 2N3906 c p-n-p структурою. В наявності H331 і B331

  • Транзистор 2N3906

    Транзистор 2N3906

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3906 є транзистор 2N3904 c n-p-n структурою.

  • Транзистор 2n5401

    Транзистор 2n5401

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -150 В Напруга колектор-база, не більше: -160 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 240 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5401 є транзистор 2N5551 c n-p-n структурою.

  • Транзистор 2n5551

    Транзистор 2n5551

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.

  • Транзистор 2SA733

    Транзистор 2SA733

    0 з 5
    грн
  • Транзистор A1015GR

    Транзистор A1015GR

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 400 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії A1015 поділяються на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор A1015O має коефіцієнт посилення в діапазоні від 70 до 140, A1015Y – в діапазоні від 120 до 240, A1015GR –…

Кінець змісту

Кінець змісту