Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
В комплекте 10 единиц! Полевой транзисторМаркировка: 4407AКорпус: SOP-8 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET Технические параметры: Структура p-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, -30ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. -12АМаксимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., ±25ВСопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., 8.5 мОмМаксимальная мощность, рассеиваемая Рси макс.. 3.1 ВтКрутизна характеристики, 21S
В комплекте 10 единиц! XB5353A контроллер заряда Li-ion аккумуляторов. Sоt-23-5 (smd),
В комплекте 10 единиц! Линейный стабилизатор L7805CV в корпусе TO-220 позволяет получить напряжение 5В от источника с напряжением от 7 до 35В. Характеристики:Модель – L7805CVВыходное напряжение – 5 ВМакс. выходной ток 1.5АМакс. входное напряжение – 35 ВРабочая температура – 0…125 °СТип корпуса – TO-220
Структура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3
Наименование прибора: AOD409Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 14.5 nsВыходная емкость (Cd): 241 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 OhmТип корпуса:…
Симистор BT136S-600E 800E является силовым полупроводниковым прибором, который может использоваться для управления большими токами в электрических схемах. Он имеет SMD корпус типа SOT-252, также известный как TO-252. BT136S-600E 800E имеет следующие характеристики: Максимальный ток (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) и 4 А (для BT136S-800E). Максимальное напряжение (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) и 800 В (для…
артикул 94435 тип ШИМ-контроллер производитель Fairchild Semiconductor тип корпуса SOP-8
Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P
Полоса передаваемых частот 700кГцМонтаж SMDКоличество каналов 2Корпус SO8Скорость нарастания напряжения 0,3В/мксРабочая температура 0…70°CВходное напряжение смещения 9мВДиапазон напряжения питания 3 — 32 /± 1,5…16В DC
Корпус: SMB (DO-214AA)Пиковая мощность: 600 WНапряжение пробоя, Vbr: 17,6 VПостоянное обратное напряжение, Vrm: 15 VТок утечки, Irm: 1 µAКонструкция диода: ОднонаправленныйМонтаж: SMD
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
