Структура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3
Наименование прибора: AOD409Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 14.5 nsВыходная емкость (Cd): 241 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 OhmТип корпуса:…
Симистор BT136S-600E 800E является силовым полупроводниковым прибором, который может использоваться для управления большими токами в электрических схемах. Он имеет SMD корпус типа SOT-252, также известный как TO-252. BT136S-600E 800E имеет следующие характеристики: Максимальный ток (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) и 4 А (для BT136S-800E). Максимальное напряжение (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) и 800 В (для…
Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P
MOSFET-транзистор Полярность транзистора: N-Channel Id — непрерывный ток стока: 12 А Vds — напряжение пробоя сток-исток: 100 В Тип корпуса: TO-252 Способ монтажа: SMD Поверхностный
Наименование производителя: PXT2907AМаркировка: 2F_p2FТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHzСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 100Корпус транзистора: SOT89
Микросхема LM339 является четырехканальным компаратором с открытым коллектором и имеет корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основные характеристики микросхемы LM339: Тип: Четырехканальный компаратор.Количество каналов: 4.Тип корпуса: SOP-14 (Small Outline Package-14).Напряжение питания: От 2V до 36V.Открытый коллектор на выходе.Микросхема LM339 обычно используется для сравнения напряжений или сигналов и выдает на выходе «0» или «1» в зависимости от…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для 2N3904 является транзистор 2N3906 с p-n-p структурой. В наличии H331 и B331
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -50 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 400 Предельная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA42…
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
