-
-
Чіп MD8002A SOP-8
41 грн -
Чіп MD8002d
41 грн -
Чіп PT4115 SOT-89
4,80 грн -
Чіп ULN2003A SOP-16
5,40 грнЧіп дає змогу за допомогою слабкого струму мікроконтролера, як-от Arduino, керувати потужними навантаженнями зі струмом до 500 мА і напругою до 50 В на канал. Такими навантаженнями можуть бути соленоїди, двигуни, потужні світлодіоди тощо. Для кожного каскаду в чипі встановлено поворотний діод, що дає змогу під’єднувати індуктивні навантаження: реле, електромагніти, приводи. За необхідності канали можна…
-
2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92
3,20 грнСтруктура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3
-
A0D404 TO252
32 грн -
Tранзистор a42
2,10 грнСтруктура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 300 В Напруга колектор-база, не більша: 300 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA42 є транзистор MPSA92 c p-n-p структурою.
-
Біполярний транзистор PXT2907A
10,80 грнНаименование производителя: PXT2907A Маркировка: 2F_p2F Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока…
-
Транзистор 2N3904
2,10 грнСтруктура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 40 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3904 є транзистор 2N3906 c p-n-p структурою. В наявності H331 і B331
-
Транзистор 2n5551
2,10 грнСтруктура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.
-
Транзистор 2SA733
5,40 грн -
Транзистор A1015GR
4,30 грнСтруктура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 400 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії A1015 поділяються на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор A1015O має коефіцієнт посилення в діапазоні від 70 до 140, A1015Y – в діапазоні від 120 до 240, A1015GR –…
-
Транзистор a92
2,10 грнСтруктура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -300 В Напруга колектор-база, не більше: -300 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA92 є транзистор MPSA42 c n-p-n структурою.
-
Транзистор FHP1404
45 грнТранзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…
Кінець змісту
Кінець змісту
