Симистор BT136S-600E 800E является силовым полупроводниковым прибором, который может использоваться для управления большими токами в электрических схемах. Он имеет SMD корпус типа SOT-252, также известный как TO-252. BT136S-600E 800E имеет следующие характеристики: Максимальный ток (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) и 4 А (для BT136S-800E). Максимальное напряжение (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) и 800 В (для…
Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P
Микросхема LM339 является четырехканальным компаратором с открытым коллектором и имеет корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основные характеристики микросхемы LM339: Тип: Четырехканальный компаратор.Количество каналов: 4.Тип корпуса: SOP-14 (Small Outline Package-14).Напряжение питания: От 2V до 36V.Открытый коллектор на выходе.Микросхема LM339 обычно используется для сравнения напряжений или сигналов и выдает на выходе «0» или «1» в зависимости от…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 600 Предельная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
BTA24-800BW LGEПроизводитель: LGEКорпус: TO-220ABUmax,V: 800 VIоткр.,mA: 50 mAImax,A: 25
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2LСтруктура: PNPМакс. напряжение коллектор-база: 100 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 VМакс. напряжение эмиттер-база: 5 VМакс. постоянный ток коллектора: 6 АМощность рассеивания: 1.25 Вт.Предельная частота (Ft): 3 МГцКоэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75Способ монтажа SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
