Электронные компоненты

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для 2N3904 является транзистор 2N3906 с p-n-p структурой. В наличии H331 и B331

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA92…

Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура N Схема соединения Одинарный Напряжение пробоя сток-исток 40 В Напряжение затвор-исток ±25 В Максимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 А Пороговое напряжение затвор-источник 4…