Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA42…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 600 Предельная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA92…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -50 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
BTA24-800BW LGEПроизводитель: LGEКорпус: TO-220ABUmax,V: 800 VIоткр.,mA: 50 mAImax,A: 25
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура N Схема соединения Одинарный Напряжение пробоя сток-исток 40 В Напряжение затвор-исток ±25 В Максимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 А Пороговое напряжение затвор-источник 4…
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NPdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W|Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V|Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V|Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V|Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 ATjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °CQgⓘ – Общий заряд затвора: 39 nCtrⓘ – Время нарастания: 15 nsCossⓘ…
Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2LСтруктура: PNPМакс. напряжение коллектор-база: 100 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 VМакс. напряжение эмиттер-база: 5 VМакс. постоянный ток коллектора: 6 АМощность рассеивания: 1.25 Вт.Предельная частота (Ft): 3 МГцКоэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75Способ монтажа SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Чип позволяет с помощью слабого тока микроконтроллера, такого как Arduino, управлять мощными нагрузками с током до 500 мА и напряжением до 50 В на канал. Такими нагрузками могут быть соленоиды, двигатели, мощные светодиоды и т.д. Для каждого каскада в чипе установлен поворотный диод, что позволяет подключать индуктивные нагрузки: реле, электромагниты, приводы.При необходимости каналы можно объединить,…
Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом. Продаются по 10 шт
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
