• AOD409 - Транзистор полевой MOSFET

    AOD409 — Транзистор полевой MOSFET

    0 из 5
    30 грн

    Наименование прибора: AOD409Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 14.5 nsВыходная емкость (Cd): 241 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 OhmТип корпуса:…

    КупитьDone
  • BT136S-600E 252

    BT136S-600E 252

    0 из 5
    40 грн

    Симистор BT136S-600E 800E является силовым полупроводниковым прибором, который может использоваться для управления большими токами в электрических схемах. Он имеет SMD корпус типа SOT-252, также известный как TO-252. BT136S-600E 800E имеет следующие характеристики: Максимальный ток (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) и 4 А (для BT136S-800E). Максимальное напряжение (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) и 800 В (для…

    КупитьDone
  • FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

    FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

    0 из 5
    13 грн

    Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P

    КупитьDone
  • HT7136-sot89

    HT7136-sot89

    0 из 5
    11 грн
    КупитьDone
  • Биполярный транзистор PXT2907A

    Биполярный транзистор PXT2907A

    0 из 5
    10 грн

    Наименование производителя: PXT2907AМаркировка: 2F_p2FТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150 °CГраничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHzСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 100Корпус транзистора: SOT89

    КупитьDone
  • Микросхема LM339 корпус SOP-14

    Микросхема LM339 корпус SOP-14

    0 из 5
    7 грн

    Микросхема LM339 является четырехканальным компаратором с открытым коллектором и имеет корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основные характеристики микросхемы LM339: Тип: Четырехканальный компаратор.Количество каналов: 4.Тип корпуса: SOP-14 (Small Outline Package-14).Напряжение питания: От 2V до 36V.Открытый коллектор на выходе.Микросхема LM339 обычно используется для сравнения напряжений или сигналов и выдает на выходе «0» или «1» в зависимости от…

    КупитьDone
  • Микросхема TC118S SOP-8

    Микросхема TC118S SOP-8

    0 из 5
    30 грн
    КупитьDone
  • Транзистор 12N10

    Транзистор 12N10

    0 из 5
    25 грн
    КупитьDone
  • Транзистор 2N2222

    Транзистор 2N2222

    0 из 5
    2 грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор 2N2907

    Транзистор 2N2907

    0 из 5
    2 грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор 2N3906

    Транзистор 2N3906

    0 из 5
    4 грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор 2n5401

    Транзистор 2n5401

    0 из 5
    2 грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор 2n5551

    Транзистор 2n5551

    0 из 5
    2 грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор a42

    Транзистор a42

    0 из 5
    2 грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA42…

    КупитьDone
  • Транзистор a733

    Транзистор a733

    0 из 5
    1,30 грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 600 Предельная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор a92

    Транзистор a92

    0 из 5
    2 грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA92…

    КупитьDone
  • Транзистор BC337

    Транзистор BC337

    0 из 5
    2 грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…

    КупитьDone
  • Транзистор BTA24-800BW

    Транзистор BTA24-800BW

    0 из 5
    50 грн

    BTA24-800BW LGEПроизводитель: LGEКорпус: TO-220ABUmax,V: 800 VIоткр.,mA: 50 mAImax,A: 25

    КупитьDone
  • Транзистор C945

    Транзистор C945

    0 из 5
    2 грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

    КупитьDone
  • Транзистор FHP1404

    Транзистор FHP1404

    0 из 5
    42 грн

    Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура N Схема соединения Одинарный Напряжение пробоя сток-исток 40 В Напряжение затвор-исток ±25 В Максимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 А Пороговое напряжение затвор-источник 4…

    КупитьDone

Конец содержания

Конец содержания