Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2LСтруктура: PNPМакс. напряжение коллектор-база: 100 VМакс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 VМакс. напряжение эмиттер-база: 5 VМакс. постоянный ток коллектора: 6 АМощность рассеивания: 1.25 Вт.Предельная частота (Ft): 3 МГцКоэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75Способ монтажа SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Чип позволяет с помощью слабого тока микроконтроллера, такого как Arduino, управлять мощными нагрузками с током до 500 мА и напряжением до 50 В на канал. Такими нагрузками могут быть соленоиды, двигатели, мощные светодиоды и т.д. Для каждого каскада в чипе установлен поворотный диод, что позволяет подключать индуктивные нагрузки: реле, электромагниты, приводы.При необходимости каналы можно объединить,…
Структура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3
MOSFET-транзистор Полярность транзистора: N-Channel Id — непрерывный ток стока: 12 А Vds — напряжение пробоя сток-исток: 100 В Тип корпуса: TO-252 Способ монтажа: SMD Поверхностный
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для 2N3904 является транзистор 2N3906 с p-n-p структурой. В наличии H331 и B331
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -50 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 400 Предельная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
