Транзистори

Симістор BT136S-600E 800E є силовим напівпровідниковим приладом, що може використовуватися для керування великими струмами в електричних схемах. Він має SMD корпус типу SOT-252, також відомий як TO-252. BT136S-600E 800E має такі характеристики: Максимальний струм (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) і 4 А (для BT136S-800E). Максимальна напруга (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) і 800 В (для…

Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Вид упаковки бобина / лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Вид канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P

Мікросхема LM339 є чотириканальним компаратором з відкритим колектором і має корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основні характеристики мікросхеми LM339: Тип: Чотириканальний компаратор. Кількість каналів: 4. Тип корпусу: SOP-14 (Small Outline Package-14). Напруга живлення: Від 2V до 36V. Відкритий колектор на виході. Мікросхема LM339 зазвичай використовується для порівняння напруг або сигналів і видає на виході «0»…

Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3906 є транзистор 2N3904 c n-p-n структурою.

Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -150 В Напруга колектор-база, не більше: -160 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 240 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5401 є транзистор 2N5551 c n-p-n структурою.

Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.

Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC337 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC337-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC337-25 – в діапазоні від 160 до 400, BC337-40 – в…

BTA24-800BW LGE Виробник: LGE Корпус: TO-220AB Umax,V: 800 V Iвідкр.,mA: 50 mA Imax,A: 25

Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для C945 є транзистор A733 c p-n-p структурою.